王懿杰，IEEE Senior Member，哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師，2005年、2007年與2012年于哈爾濱工業(yè)大學(xué)獲得學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。從事照明電子、無(wú)線電能傳輸技術(shù)、高頻以及超高頻功率變換技術(shù)研究。

共發(fā)表SCI/EI檢索文章150余篇，授權(quán)發(fā)明專利16項(xiàng)，受理25項(xiàng)。曾獲中國(guó)電源學(xué)會(huì)第21、22屆學(xué)術(shù)年會(huì)優(yōu)秀論文獎(jiǎng)，IEEE ICEMS 2019會(huì)議最優(yōu)論文獎(jiǎng)，IEEE ITEC Asia-Pacific 2017會(huì)議最優(yōu)論文獎(jiǎng)，IEEE ITEC Asia-Pacific 2018會(huì)議最優(yōu)論文獎(jiǎng)、IEEE ICEMS 2018會(huì)議最優(yōu)論文獎(jiǎng)、IEEE Transactions on Power Electronics 2018 Prize Paper Award、IEEE Transactions on Industry Applications 2018 Prize Paper Award、PCIM Asia 2015會(huì)議Young Engineer Award提名獎(jiǎng)。

獲得國(guó)家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金資助，黑龍江省優(yōu)秀青年基金資助，入選哈爾濱市青年后備人才計(jì)劃，哈工大青年拔尖人才選聘計(jì)劃以及哈工大基礎(chǔ)研究杰出人才III類。

擔(dān)任SCI期刊IEEE TIE、IEEE JESTPE、IEEE Access、IET PEL、JPE副主編；曾擔(dān)任SCI期刊IEEE TIE客座主編、IEEE JESTPE客座副主編以及中文核心期刊“電力電子技術(shù)”特邀主編；擔(dān)任中國(guó)電源學(xué)會(huì)理事、照明電源專業(yè)委員會(huì)副主任委員、器件專業(yè)委員會(huì)委員、青年工作委員會(huì)委員，中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)理事。

電力電子領(lǐng)域：由于材料特性的差異，SiC適用于高于1200V的高電壓大功率應(yīng)用場(chǎng)合，而GaN器件更適用于40-1200V的高頻應(yīng)用，GaN在600V/3KW以下的應(yīng)用場(chǎng)合更占優(yōu)勢(shì)，在微型逆變器、伺服器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、UPS等領(lǐng)域與傳統(tǒng)的MOSFET或IGBT展開競(jìng)爭(zhēng)，讓電源產(chǎn)品更為輕薄、高效。

射頻領(lǐng)域：與目前在RF領(lǐng)域占統(tǒng)治地位的LDMOS器件相比，采用0.25微米工藝的GaN器件頻率可高達(dá)其4倍，帶寬可增加20%，功率密度可達(dá)8W/mm3(LDMOS為1~2W/mm3)，且無(wú)故障工作時(shí)間可達(dá)100萬(wàn)小時(shí)，更耐用，綜合性能優(yōu)勢(shì)明顯，5G的商用無(wú)疑會(huì)推動(dòng)GaN在射頻市場(chǎng)的快速發(fā)展。